金屬導線直接圖案化技術
以無電鍍銀直接圖案化沈積技術，製程溫度低於200
o
C，沈積膜厚2200Å，
Resistivity
3x10
-6
Ω-cm，Resolution<1.6μm，
成功點亮4.1" QVGA Ag Gate TFT-LCD。
透明導電層印刷製程建立
以奈米金屬導線製作透明導電膜(TCF)，膜厚1500Å，Uniformity
10%，
Process Temp.
250
o
C，Transparent
85%，Resistivity
200 mΩ-cm，
成功點亮4.1" QVGA Replace ITO TFT-LCD。
無機半導體材料與印刷製程建立
研發Solution-based ZnZrO材料在非真空系統中低溫成膜製備TFT主動層，
製程溫度低於300
o
C，沈積膜厚1500Å，
Uniformity
10%，Mobility 0.02 cm2/Vsec，
成功點亮4.1" QVGA ZnZrO TFT-LCD。
20μm pitch 多凸點彈性bump（凸塊）
完成20 μm pitch（line pitch）bump 接點設計以及結構推力等檢測 (Au bump with ACF 最小 line pitch 44 μm)，Wafer 經過磨薄後，Bump 高度略為下降約0.5 μm 對結構無影響。 多凸點bump縮小接合面積且接點接點電阻維持在5Ω之內，因而可以縮小I/O面積降低成本。 NCF-COG 接點面積 (300 μm
2
~ 800 μm
2
) 比ACF-COG 接點面積 (1000μm
2
~ 1500μm
2
) 小。電極區不需要布滿 Bump區而能達到接點電阻值5Ω之內。 經過85
o
C/85% RH 1000小時測試， 接點電阻在5Ω之內。
技術可應用領域，Note Book, Monitor,TV，PDA，GPS，行動電話….等產品，
此外，亦可運用於其他如：可撓性顯示器、光電元件及MEMS構裝上。
NCF（非導電膜）彈性凸塊應用在1.8吋實際面板，通過點亮驗證及可靠性測試。
全球首創使用 "NCF-type Compliant-Bump COG" 於1.8吋實際面板：通過可靠性測試 (1) 85
o
C / 85% RH-500Hrs 測試 (2) 點亮狀態下70
o
C/85% RH 500hrs.。
面板尺寸：1.8 inch TFT LCD。IC 規格: source and scan 在同一個 chip。
Chip 尺寸 17.2 × 1.43 mm。bump pitch (stagger) 21× 2 μm。Bump數目1010個。
技術可應用領域，Note Book, Monitor,TV，PDA，GPS，行動電話…等產品，
此外，亦可運用於其他如：可撓性顯示器、光電元件及MEMS構裝上。
2" 光配向VA液晶面板
利用非接觸式之UV光配向製程取代rubbing處理方式， 以UV光配向製程製作2 吋液晶面板。
可攜式動、靜態複雜影像品質評估及量測系統
本系統可分析數據包含MPRT、EBET、 PBET、Color shift。
待測螢幕尺寸：17~50吋，追蹤精確度
1ms
開發人眼視覺模型，可描述人眼對動態影像之感知程度，與現有國際標準評估手法相比更為嚴謹合理
大尺寸 LCD panel Mura自動量測分析系統
使用視覺模型與智慧型演算法進行面板Mura檢測，可檢出不同Mura並計算JND量化數據，可達90%正確率，並標示出Mura大小、位置、強度、種類等資訊。
3x10-6Ω-cm，Resolution<1.6μm，
10%，
85%，Resistivity 
